白癫疯游泳 https://m-mip.39.net/news/mipso_5927675.html目录
一.概述
二.忆阻器测试
1.忆阻器参数表征、分类及测试流程
2.忆阻器基础研究测试
3.忆阻器性能研究测试
i.非易失存储器性能测试
ii.神经突触阻变动力学测试
4.忆阻器集成及应用研究测试
5.忆阻器/神经元网络测试系统的必要性
三.泰克忆阻器/神经元网络测试系统
*关键词：忆阻器，组变存储器，RRAM,半浮栅，神经元网络，类脑计算，边缘计算
一.概述忆阻器英文名为memristor,由“Memory”与”Resistor“合成，用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，能够实现0、1信息存储，是一种新一代非易失存储器，通常称为阻变存储器（RRAM）。忆阻器具有高速、低功耗、易集成、以及与CMOS工艺兼容等优势②。忆阻器是连接磁通量与电荷之间关系的纽带（图一），在无源电路器件中，R揭示了电压与电流之间的关系，L揭示了电流与磁通量之间的关系，C揭示了电压与电量之间的关系，而电量与磁通量之间的关系，很久以来一直未受到
